随着近来努比亚Z9、小米Note顶配版、乐视超级手机1、华为P8等一大波新机的相继发布，高通、三星LSI、联发科、海思四家芯片厂商在2015年上半年主打的旗舰产品也一同面市，它们分别是“高烧不退惹人忧”的骁龙810、成功“逆袭”的三星Exynos 7420、更换“高大上”新名称的联发科Helio X10（MT6795）以及“低调”的海思麒麟935。

4月底时，著名市场调研机构Strategy Analytics（SA）正式发布了《2014年全球智能手机SoC芯片市场统计报告》。数据显示，在过去的一年中，高通凭借52%的市场份额独占鳌头；联发科的市场份额为14%；三星LSI则创下六年来的新低，排在第五位。这里并没有海思的数据，不过据潘九堂等产业人士透漏，随着去年Mate7等机型的成功，海思目前已经摆脱了亏损状态。

时至2015，智能手机SoC芯片市场却迎来了诸多令人意外和惊讶的新变化。先是高通骁龙810曝出过热问题，优化上的巨大难度让不少厂商的旗舰新机相继延期；其次是豪赌14NM工艺的三星甩开高通，直接在Galaxy S6、S6 Edge上全面使用自家的Exynos 7420，堪称逆袭级别的强大表现，让人对三星刮目相看；而工艺落后的联发科和海思，无法搞定发热大户Cortex-A57，转而在低功耗的Cortex-A53上大做文章。被扣实中低端帽子的联发科，还试图通过更名的方式重塑高端新形象。

IT之家刚好凑齐了搭载上面四款最新SoC芯片的机型，于是乎笔者就任性一把为大家带来这四款市售主流SoC芯片的详细介绍以及横向对比，我们一起来近距离感受下这四款强大内芯。

一、骁龙810、三星Exynos 7420、联发科Helio X10（MT6795）、麒麟935全面解析

1、高烧不退惹人忧的高通骁龙810：由于自家的下代Kryo架构延期，高通在旗舰SoC骁龙810上也采用了来自ARM的64位Cortex-5X公版架构。

具体来看，骁龙810搭载4个2.0GHz主频的Cortex-A57核心+4个1.5GHz主频的Cortex-A53核心；GPU则采用了高通自家的Adreno 430；集成双核SIP，最高可支持5500万像素的摄像头；基带芯片最高可提供LTE CAT6速率级别的4G全网通能力；内存控制器可支持双通道LPDDR4（1600MHz），有效带宽25.6GBps，基于20NM工艺制造。

至于骁龙810过热的具体原因，坊间目前流传有多种说法。一种是归咎于台积电的20NM工艺问题；另一种则是ARM的Cortex公版架构与自家的Adreno显示核心之间的匹配出现了问题，至于哪个才是真的，目前尚不清楚。

2、逆袭的三星Exynos7420：跳过20NM工艺，直接豪赌14NM FinFET工艺的三星终于在今年得到了回报。搭载自家Exynos 7420的Galaxy S6、S6 Edge不仅成功避开了骁龙810延期的影响提前上市，而且对于改善三星创新乏力的形象作用显著，它的实际性能也十足让人惊喜了一把。

从具体架构上来说，Exynos 7420采用4个2.1GHz主频的Cortex-A57核心+4个1.5GHz主频的Cortex-A53核心组成异步大小核架构，GPU部分则采用了八核的Mali-T760 MP8，主频为772MHz，基于14NM FinFET工艺制造，基带芯片能达到LTE CAT6级别，内存控制器可支持双通道LPDDR4（1552MHz），有效内存带宽24.8GBps。

3、更换高大上新名称的联发科Helio X10（MT6795）:联发科MT6795依然基于28NM工艺打造，技术上无法搞定相比A53性能提升56%，但功耗同时高出256%的Cortex-A57架构。因此，联发科选择了同时搭载8个Cortex-A53核心，标准版MT6795主频为2.0GHz，高主频版本MT6795T主频则提升到2.2GHz，而且是8核全部可以超频到这一主频。

其他部分，MT6795则比较普通，GPU依然沿用6595上的Power VR G6200，内存控制器支持双通道LPDDR3 933MHz内存，基带芯片速率为LTE CAT4级别，双2000万像素ISP，有效内存带宽为14.9GBps，参数相对比较普通。

4、低调的海思麒麟930/935：

本文来源：不详 作者：佚名