本周宣布正式合并台塑旗下内存厂华亚科的美商内存大厂美光（Micron）在15日表示，由于该公司的3D NAND闪存产能日前正式超过2D NAND闪存。其中，包括第1代3D NAND闪存的成本也符合预期，堆叠层数达到64层的第2代3D NAND闪存也在已经准备完成，预计将在2016年底要正式大规模量产。

根据外媒报导，美光公司财务长Ernie Maddock在15日参加巴克莱银行全球技术、媒体及通讯大会上表示，该公司的3D NAND闪存产能与2D NAND闪存产能已经来到交叉点上。也就是说，3D NAND闪存的产能，以容量计算，将要超过2D NAND闪存。

此外，Ernie Maddock还表示，美光的第1代3D NAND闪存在降低生产成本上已经达到预期目标。由于，美光在2016年上半年的发展路线上曾指出，未来预计3D NAND闪存的成本，将要比2D NAND降低至少20%左右。如今，已经实现降低20%到25%的成本。这样的情况，对于未来将开始在新加坡Fab 10X晶圆厂大规模量产来说，有着其正面的帮助。

目前市场上许多固态硬盘（SSD）都已经转向3D NAND闪存。因为，不论是性能，还是容量，或者是使用寿命，3D NAND闪存都要比传统2D NAND闪存好得多。而且，厂商也会借此来降低生产成本，以提高产量。就美光为例，其所生产的2D NAND闪存，主力是16纳米制程的产品，MLC/TLC闪存的核心容量不过128Gb。但是，借由3D NAND技术的MLC闪存核心容量就有256Gb，TLC更是达到384Gb，大大优于2D NAND闪存。

事实上，在转向3D NAND生产方面，实力最强的仍以韩国三星领先，东芝（Toshiba）/ Sandisk与SK海力士其次，英特尔（Intel）和美光的动作算是比较慢的了。不过，一旦3D NAND闪存开始量产，由于容量先天性的优势，产能超过2D NAND闪存将是迟早的事。