近日在加州圣克拉拉举行的闪存峰会（Flash Memory Summit）上，镁光公布了他们的首款3D NAND闪存芯片。这种闪存芯片在不改变尺寸的情况下能提供更多的储存空间。

据PCWorld报道，镁光这款3D闪存芯片的容量为32GB，其目标市场为中高端的智能手机。该产品基于新的UFS 2.1标准，市面上的智能手机均未使用这种理论上更快的储存协议。

镁光认为智能手机对内存容量的需求越来越高，虚拟现实应用和流媒体都将占用大量的储存空间。他们表示，在几年之内智能手机的内存容量可能会达到如今PC的水平，具体来说，大概在2020年就会触及1TB。不过，这家公司并未透露自家用于移动设备3D闪存芯片的发展路线图。

与传统的2D NAND水平排布储存单元不同，3D NAND使用垂直的方式排布储存单元，这种方式既能拥有更高的容量，又能让芯片间的通讯变快。

3D NAND闪存芯片技术并非镁光独有，英特尔和三星都已经在SSD上应用了这种技术，相关产品的容量只会越来越大。