东芝将于2017年度采用新技术生产用于智能手机等的NAND型闪存。这是一种类似于盖印章的电路形成技术,与原来的方式相比,工序成本被认为可降至三分之一。
该类型存储器的生产是处于经营重建的东芝的核心业务。将通过与大日本印刷等材料和设备厂商合作提高成本竞争力,以追赶份额高居榜首的韩国三星电子。
东芝将导入与大日本印刷和佳能3家公司共同研究的名为“纳米压印光刻(NIL)”的新技术。计划今后3年向半导体业务投资8600亿日元,其中一部分将被用于引进采用新技术的闪存生产线。计划于2017年度在三重县的四日市工厂启动生产,并在预定于2018年度投产的新制造车间完工后正式进入量产体制。
与原来的方式相比,新技术将电路底板像印章一样盖压到硅晶圆上,可将名为光刻工序的电路形成阶段的成本降至三分之一左右。
此前的方式需采用特殊光源装置和高精度透镜,设备成本较高。从存储器的整个制造工序来看,预计可削减成本约10%。
NAND型闪存在手机视频等数据存储用途方面的需求一直不断增加。除了智能手机之外,今后面向数据中心存储装置的市场估计也将持续扩大。
东芝通过出售白色家电业务及医疗设备子公司,将经营资源集中到半导体及核电设备等领域,以加紧进行经营重组。在作为半导体业务的主力、全球市场份额排名第二的NAND型闪存领域,将通过向四日市工厂进行巨额投资以及引进新技术来追赶三星。
围绕半导体的电路形成技术,荷兰半导体设备厂商阿斯麦(ASML)正在美国英特尔和三星的帮助下,研发采用被称为超紫外线的短波光“EUV曝光”技术。由于利用此前的技术已难以提高半导体的性能,因此东芝等全球半导体厂商竞相开发新一代生产技术,并将其投入实用。
本文来源:不详 作者:佚名