由P-Channel及N-Channel晶体管组成的混合新材料有望让Intel在未来的新处理器功耗相比现在的产品再降低10%。

Intel最近透露了有关P-Channel晶体管的资料，表示这是一种复合半导体，同样是以III-V材料为基础。据研究指出它拥有极高的效率及极低电阻表现，而Intel 早前于透露了采用III-V材料的N-Channel晶体管，同样将会用在处理器制程技术上。

据Intel指出，当P-Channel晶体管及N-Channel晶体管复合应用后，所制造出的CMOS逻辑芯片比传统材料可减低一半的电压，而且功耗更可降低至现有产品的十分之一。

P channel和N channel组合新材料

此研发创新技术将会用于处理器量产用，将可令处理器效率进一步提高，容许更复杂的设计及减低了因功耗而出现的散热问题，系统体积亦可进一步缩少。

目前，Intel已经开始了这种新材料的研究工作，不过要用于处理器的实际使用还需要数年时间。

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