PU的替代品。也为即将到来的二氧化硅半导体5nm摩尔定律极限(晶体管间隔小于5nm时，电子移动不受控制)，忆阻器提供了一种全新选择。但是目前该方面的研究依然比较少，而且要实现逻辑状态运算还需要一套全新高效的电子设计。

▲惠普忆阻器结构示意图和实物显微镜图

▲3D XPoint技术结构示意图

更具想象力的是，忆阻器具备了存储和运算能力，两者可以合二为一，可以实现在器件级别上的处理器和存储器的融合，计算的操作直接施加在数据上，摈弃了传统冯诺依曼体系结构的读取-操作-写回，完全不存在访问带宽瓶颈，并且无需考虑时序逻辑和组合逻辑的控制。与此同时，再过几年晶体管的制造工艺即将止步于物理极限5nm，摩尔定律要进入垂暮之年。因此可以乐观地认为，在未来，忆阻器是有可能代替晶体管，将揭开模拟式计算机新篇章。

3D XPoint闪存技术产品上市

在IDF 2016上，Intel着重提到3D XPoint闪存技术，宣布投资35亿美金将其与美光合资开发的最新非易失性存储技术带到中国，并由Intel大连工厂制造。将会在今年年底会率先推出基于3D XPoint闪存的Optane SDD产品。

▲3D XPoint技术优势

▲NAND、DRAM、3D XPoint技术对比