昨天开幕的IDF会议上，Intel公开了基于黑科技3D XPoint闪存的Octane硬盘技术，现场演示的是PCI-E接口的Octane硬盘，性能达到了当前顶级PCI-E硬盘的5-7倍。但是PCI-E硬盘只是Intel Octane计划的一部分而已，别忘了3D XPoint闪存本身很特殊，既可以做NAND闪存也可以做DRAM内存，Intel还准备了DIMM内存型的Octane，号称成本只有DDR内存的一半，但容量是DDR的4倍，更关键的是它还是非易失性的，断电不丢失数据。

Intel在IDF会议上演示了SSD型的Octane硬盘，不过DIMM插槽型的Octane只有解说，没有演示。从Hardware.fr的报道来看，Intel提到DIMM型的3D XPoint内存比目前的DDR内存更有优势，成本只有DDR的一半，但容量可达DDR内存的4倍。

3D XPoint闪存发布时，Intel提到过初期的核心容量是128Gbt（16GB），那么8核心的3D XPoint内存就有128GB容量了，如果是16颗核心，那么单条容量甚至可达256GB，要知道目前单条16GB的内存都很少，因为DDR内存的核心容量普遍是4Gb，新一代的才有8Gb（1GB容量）而已，与NAND闪存的核心容量相差甚远。

Intel提到，DIMM插槽型的Octane（应该称之为硬盘还是内存呢？）首先会用于服务器级的Skylake平台（Skylake-E/EP要到明年才能发布），看起来Skylake处理器内部应该会集成特别的内存控制器，只不过目前还不知道具体细节。

那么DIMM插槽类型的Octane能否真正充当系统内存使用？这看起来还不确定，因为原文提到这种“内存”可以跟DDR4内存混插，而且需要DDR4内存才能启动，Octane看起来更像是二级内存。

不论哪种情况，现在可以确定的是这种神奇的Octane内存不会应用其他平台，包括现在的桌面版Skylake处理器。

众所周知，DRAM与NAND已经诞生了数十年，二者各有优缺点：DRAM能够提供纳秒级延迟水平与几乎无限的耐久能力，但其存在着存储单元较大而价格昂贵、存储单元拥有易失性以及功耗较高等问题；而NAND的延迟过高（特别是写入操作），写入周期有限，但其存储单元为非易失性而且整套结构更为高效。因此一直以来，二者都是协同合作，即DRAM作为内存/缓存机制，而NAND则负责处理数据存储。

英特尔3D XPoint则有望打破这一僵局，该技术介于DRAM和NAND之间，其使用寿命是NAND的千倍，读取延迟也可以降到纳秒级别。因此，3D XPoint完全可以弥补了NAND的致命缺陷，但是要取代DRAM还需要时间。