【手机中国 新闻】据韩媒ETNews报道，三星消息人士透露，该公司正准备在新旗舰Galaxy S6上使用下一代NAND Flash存储卡，这项存储技术可能会称为UFS 2.0。

　　UFS（通用闪存存储器）能达到SSD类似的转换速度，不过却像eMMC存储芯片一样生产便宜。事实上，该技术能获得比eMMC存储快3倍，转换速度能达到1.2GB/s。该产品能耗却比eMMC更低，这使得它不会很耗电或出现过热的问题。消息人士表示，最近UFS 2.0技术发展已使得其能耗仅为eMMC 5.0的一半。

Galaxy S6将用下一代UFS存储卡

　　该技术标准是在三星、诺基亚和Micron发起的电子元件工业联合会（JEDEC）下建立的，这个组织于2007年建立。东芝和海力士也加入UFS 2.0存储的研发。

　　不过，也不只是三星才有这项计划，据称小米也将在未来产品中使用UFS 2.0 NAND存储卡。三星今年在中国市场遭到小米激烈挑战，份额在不断萎缩。

　　据称，三星将会使用UFS技术逐步取代智能手机中所使用的SD卡和microSD卡。首批使用该技术的产品很可能是明年年初将发布的Galaxy S6以及之后的Note 5。