随着手机进入到智能机时代，人们对于智能机的依赖程度与日俱增，可以看到的是，手机的屏幕变得越来越大，但是电池容量，却一直处于一个相对稳定的范围区间，于是手机的续航能力被一次又一次的推到风口浪尖上，不知引得多少用户吐槽。不过面对电池技术的瓶颈，很多技术人员也是徒呼奈何，正是在这样一个背景下，一种曲线救国的解决方案出现了，它就是快充。

既然电池本身续航能力不够，那么从充电速度上着手确实是一个不错的解决之道，在目前市面上的产品中，采用的快充方案大致有四种，即高通的QuickCharge版（如QC2.0、QC3.0），联发科版（Pump Express和Pump Express plus），OPPO的VOOC，以及TI的Maxcharge，最后一种方案实际上同时兼容了高通QC2.0版和联发科Pump Express协议，可以看做是在原有USB 5V充电技术上进行突破的综合版本，所以一般我们都将主流的快充技术分为前三种。

我们知道，几种快充方案在速度上，相比于此前的充电效率，要提高了很多倍，其中比较令人耳熟能详的广告文案便是“充电5分钟，通话XX小时”。这就不免令人怀疑，在如此告诉的充电效率下，安全性真的能够保证吗？

快充为何能缩短时间

想要探究安全性，我们还是要先从理论开始补习，至少，我们也要先了解快充的原理，那么快充为何能够缩短时间呢？从物理计算公式上来说，功率(P)=电压(U)x电流(I)，在电池电量一定的情况，功率标志着充电速度，套用这个公式，我们再来看三种快充方案，就会比较好理解了。

VOOC

低电压高电流模式

首先来说一下较早的快充方案VOOC吧，该方案是采用了低电压高电流模式，简单来说，就是在电压一定的情况下，通过增加电流，使用并联电路的方式进行分流，进行并联分流之后，每个电路所分担的压力会变小，而在手机中也进行同样的处理，每条电路所承受的压力也会变得更小，从而在保证充电速度的同时，也能减少手机充电时适配器与手机的发热情况。

相信很多朋友都知道，OPPO的闪充充电线缆线路采用了7针的设计，就是为了解决大电流在传输线路里的损耗过大的问题，电池的触点也相应增加，并采取了一定的均流措施，也是为了解决大电流下电池发热问题。同时，VOOC使用了MCU单片微型计算机来取代传统充电电路中的降压电路。智能的MCU管理芯片可以自动识别当前充电设备是否支持VOOC闪充，以确定是否采用闪充模式。

Quick Charge

高电压高电流模式

相比于VOOC，高通Quick Charge 2.0采用了一种不一样的方式，高电压高电流模式，顾名思义，也就是同时增大电流与电压，通过前面的公式P=UI，我们可以发现，这种方式是增大功率最好的方法，不过其中的弊端是增大电压的同时会产生更多的热能，这样其中所消耗的能量就变多了，而且电压与电流也无法无限制的随意增大。

好在为了弥补消耗增加的不足，高通推出了Quick Charge 3.0方案，采用了“最佳电压智能协商”（Intelligent Negotiation for Optimum Voltage，INOV）算法，可在任意时刻实现最佳功率传输，且最大化效率。与Quick Charge 2.0相比，可以提高快速充电速度最高达27%，减少功率损耗最高也可以达到45%。而且在充电电压方面，Quick Charge 2.0提供5V、9V、12V和20V四档充电电压，Quick Charge 3.0则以200mV增量为一档，提供从3.6V到20V电压的灵活选择。这样就使其能够适应各种手机，允许手机获得恰到好处的电压，达到预期的充电电流，从而最小化电量损失、提高充电效率并改善热表现。

Pump Express

高电压恒定电流模式

与Quick Charge 2.0相似，Pump Express由于提高了充电器的输出电压，突破了充电电流的限制。同时缺点也与QC2.0类似，由于充电器的调压档跨度比较大，导致手机端充电路效率偏低。于是MTK Pump Express Plus快充技术应运而生，其与高通Quick Charge 3.0类似，增加了调压档数，每档200mV。