熟悉三星移动设备的用户，都知道Galaxy Note 3配置了3GB的机身运行内存（RAM），无论是多任务处理，还是应用程序运行都带来很大的提升，但3GB RAM只是开始，三星目前已经研发了首款8千兆位低功耗DDR4内存芯片，也意味着移动端将迎来4GB RAM运行内存容量。

新的8Gb低功耗DDR4移动内存将会使用LVSTL I/O接口（Low Voltage Swing Terminated Logic），而这也是三星与JEDEC合作制定的低功耗DDR4中的其中一项规范。

新款低功耗DDR4将能够在每pin拥有高达3,200 Mbps的传输率，相较于目前20nm制程的低功耗DDR3，要快上2倍之多。另一方面，低功耗DDR4将会比现有的DDR3更省电，主要是其额定电压为1.1V。

据三星官方介绍，这款产品将会在2014年内大规模量产，适用于搭载Ultra HD屏幕的笔记本电脑、智能手机和平板电脑。

明年的Galaxy Note 4很有可能搭载4G RAM。