韩国网站ETNews消息称，三星正忙着打造超快的UFS 2.0 NAND存储芯片，有望出现在明年的旗舰Galaxy S6中，其数据传输速度可达每秒钟1.2GB。目前使用eMMC NAND闪存技术，数据传输速度可达400MB/s。UFS是Universal Flash Storage的缩写，它将SSD与高效的MMC卡结合，所提供的带宽可确保通过LTE-A连接传输庞大的数据（如超高清分辨率的视频）。消息还称，UFS的电量消耗是eMMC 5.0的一半。

另一家瞄准UFS的公司是小米，消息称小米会在“下一代型号”中采用该技术，不过目前不清楚小米的计划。消息还表示，三星会逐渐使用基于UFS的解决方案取代SD和MicROSD卡。

三星的一名代表表示公司“UFS的应用主要集中于旗舰智能手机”，并提到“这款新机会在明年推出”，其配置“还没有最终确定”。这看上去指的应该就是三星Galaxy S6。（via：Phonearena）

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