一味的追逐高性能如今看来并不是英特尔所想要的，在移动趋势越来越明显的今天，英特尔已经开始改变自己处理器的研发策略，并将重点从提升性能转向降低功耗与提高能效。据悉，下一代的Haswell将不会升级制造工艺，但会从架构方面入手，增加了整合稳压器模块(VRM)，从而改进处理器供电的精密度，同时在不影响性能的前提下降低了功耗!

　　目前，稳压器和各种供电IC都安置在主板上，而为了加强处理器供电(更为了增加卖点)，供电电路相数不断猛增，制造成本和占用空间也水涨船高，但都达不到Intel想要的供电水准。

　　为此，Intel特别研发了一种特殊的可编程芯片，内有20个供电单元(power cell)。每个单元都是非常迷你的稳压器，长宽分别只有1.8毫米、1.6毫米，面积不过2.8平方毫米，但能够提供最高25A电流(具体看功耗限制)、16相供电电路，可编程切换频率30-140MHz，因此整个芯片理论上可支持最多320相供电，能够达到极其精细的供电调整，而整个芯片的尺寸为12.977×8.144=105.7平方毫米。

　　Intel将这种芯片称为整合稳压器(IVR)，会将其与Haswell处理器内核封装在同一块基板上(俗称的“胶水封装”)，制造工艺也是22nm。

　　有了这种整合稳压器，Haswell就可以独立、精准地控制每个CPU核心、GPU核心、系统助手(PCI-E和内存控制器等)的供电、功耗，甚至能够照顾到板载稳压器无法顾及的互连总线，从而灵活地降低功耗，且不损失性能。举例来说，Haswell可以在视频播放期间将所有CPU核心挂起，但不会挂起环形互联总线，只留下GPU核心工作的同时，保证总线的全速运行，视频播放依然会很流畅。

　　在未来，Intel极有可能会将稳压器直接整合到处理器核心中，这不仅包括再下一代的桌面和笔记本处理器Broadwell，甚至可能会用于智能手机和平板机的Atom，增强面对ARM的竞争力。