美国EVErspin科技公司日前宣布，它们即将为选定的客户推出采用其自有ST-MRAM(转矩磁阻随机存取存储器)芯片的产品。据悉，这种非易失性存储介质据称比当前的SSD快500倍，但价格也同样高达前者的50倍。

　　性能方面，ST-MRAM的规格看起来令人印象深刻：16亿的IOPS， 3.2GB/s的带宽以及纳秒级的延迟。相比之下，OCZ 512GB的Vertex 4固态硬盘仅有12万的IOPS，差不多550MB/s的吞吐量，延迟也是毫秒级而不是纳秒级。

　　遗憾的是，尽管在性能方面ST-MRAM产品有着取代目前NAND固态硬盘的表现，但EVErspin目前并不会把这个技术用在取代现有固态硬盘的方向，更多的只是作为一种补充形式存在。

　　造成这一情况的首要因素或许是其高昂的成本。预计ST-MART将比当前的FLASH供应价高出约50倍，不过新技术刚开始的时候都是这样的。还记得SSD售价几千美金的时候吗？想当年要42000美金的14GB SSD，我们现在买一个128GB型号的固态硬盘都只需60-70美元。或许MRAM今后也会朝着这个方向发展下去吧。

　　除此之外，目前ST-MRAM对高功率的要求，也决定了它可能并不是一个理想的SSD替代者。据EVErspin称，常规SSD使用的64GB NAND芯片在使用时仅需80毫瓦的功率。与此相比，1GB的ST-MRAM芯片就需要400毫瓦的使用功率，很明显ST-MRAM在成为主流闪存存储产品的替代者之前还有一些路要走。

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