IT之家讯 4月3日消息，作为UFS闪存标准的缔造者和领导者，三星在今年2月底发布了全球首款容量高达256GB的UFS2.0闪存芯片，受到了业界的极大关注。

目前，Sammobile最新透露了三星这款闪存的最新消息，可以看到该UFS芯片型号为KLUEG8U1EM-B0B1，芯片封装尺寸为11.5x13x1.2mm，仅在厚度上比32GB芯片厚了0.2mm，其MLC采用的是双传输信道的G3 2Lane规格，据三星官方宣称该闪存最高读取速度为850MB/S，而写入速度为260MB/S，读/写操作IOPS分别可达45,000、40,000，可以说是目前最快的闪存芯片之一了。

据称这块闪存芯片目前已经成功流片，同时三星公司正在加紧进行测试，相信距离大规模量产的时间不久了，或许三星下半年的旗舰Galaxy Note6将会用上这块目前为止最为强大的闪存芯片。