另外在2012年Intel发布22nm工艺的Ivy Bridge时，大家都发现这款处理器比上一代Sandy Bridge温度要高相当多，当时有个解释就是IVB的核心面积下降而晶体管密度上升，因此功耗密度比SNB要高，而接触面积的减少使得散热效率降低，这听上去很有道理但是导致IVB高温的原因并不是这个。

SNB上使用的一直是fluxless solder（无钎剂焊料），而IVB上改用了TIM膏（类似硅脂），这二者的导热系数明显不同，前者可达80 W/mK，而TIM膏只有5 W/mK，不少外媒对IVB处理器进行了开盖测试，更换导热系数更高的液态金属散热膏后温度会下降15-20℃之多。所以更先进的工艺会使功耗密度上升这个未必是成立的。

总结：

半导体工艺是决定各种集成电路性能、功耗的关键，这篇课堂中我们简单介绍了先进工艺带来的两大好处——晶体管密度提升从而降低了成本，其次就是晶体管频率提高，性能提升而功耗降低。但是半导体工艺发展到现在已经接近10nm，再往下工艺升级的困难越来越大，科技公司迫切需要寻找新的材料、技术来突破障碍。在这一点上，Intel已经表达了他们的自信，表示7nm节点上公司将重回摩尔定律正轨，保持2年升级一次工艺的节奏。