IT之家讯 9月6日消息，DDR4内存从图纸到实际商用，总共耗费了大约9年的时间，现在，行业内人士已经开始着手打造新的后DDR4内存标准（暂称为DDR5）。近日，三星在Intel开发者论坛上，首次透露了一些关于后DDR4内存的初步信息。

首先，在传输速率方面，后DDR4内存每针脚的传输速率将达到6.4Gbps，总带宽将达到51.2GB/s；容量方面的变化将更加显著，单颗内存容量将从4Gb、8Gb增加到32Gb，这对于服务器等设备来说十分重要。在工艺制程方面，后DDR4内存或将采用10nm工艺打造，三星也没有给出十分肯定的说法。

现有的DDR4标准已经具备很高的性能，不过也有两个因素制约它继续提高，其一是如果不使用单独的缓存器，每个通道最多只能承载两个内存模块；另外，在现有的标准垂直芯片封装下，最大时钟频率大概只能达到4.26GHz。为了解决这些难题，三星也在考虑采用光学接口、2.5D或是3D封装等新技术。

最后，三星预计后DDR4内存的第一个原型将在2018年出现，不过除了技术因素外，制约它出现的因素还有很多，包括相关技术的标准化以及大规模量产的工艺成熟度等，因此，后DDR4内存很有可能在2020-2025年之间才会真正现身市场。