自从Intel公司在2012年的Ivy Bridge架构处理器率先在22nm节点量产3D晶体管工艺之后，包括三星、TSMC台积电、UMC联电等主要半导体公司都在向FinFET鳍式晶体管工艺迈进，AMD分家出来的Globalfoundries（格罗方德，也简称GF）最终也选择了三星的14nm FinFET工艺。不过GF原来师从IBM SOI工艺，现在又收购了IBM的晶圆厂，所以他们也不会放弃原有的设计，现在又推出了22nm FD-SOI（全耗尽型-绝缘体上硅）工艺，2016年下半年试产，2017年下半年量产。

有过印象的玩家可能还记得，AMD自己有晶圆厂的时候，虽然制程工艺还是要落后Intel一到两代，但AMD使用了IBM的SOI（绝缘体上硅）工艺，该技术非常适合制造高性能处理器，被认为比同级工艺先进半代甚至一代，AMD的FX处理器目前依然使用32nm SOI工艺制造。

▲FD-SOI工艺与FinFET工艺对比

半导体制造工艺有多种选择，此前就一直有FinFET与FD-SOI两种分歧，虽然现在看起来FinFET工艺成了主流选择，但FD0-SOI工艺也不是没有可取之处，它制造出来的芯片性能更好，功耗更低，而且工艺也没这么复杂。之前中芯国际联合高通、华为及比利时微电子中心研发14nm FinFET工艺时，也有过专业认识建议中国公司可以考虑从FD-SOI之类的工艺上寻找突破点，FinFET工艺上我们已经晚了很多年了。

再回到我们的话题上，如今GF早从AMD分家了，之前他们在制造工艺上一直磕磕绊绊，后来索性直接选择了三星的14nm FinFET授权，进展倒是顺利多了。去年他们还收购了IBM的晶圆厂，不过IBM的制造工艺比较独特，所以GF也不能完全放弃FD-SOI工艺，毕竟他们之前就熟悉这种工艺了。

现在GF正式宣布他们将向业界提供22FDX工艺，这也是全球首个22nm FD-SOI工艺，它能提供22nm FinFET工艺级别的性能及功耗，但制造成本与28nm工艺接近，主要用于IoT物联网、主流移动芯片、RF射频及网络应用等电路中。

根据GF公司的说法，他们的22FDX工艺可以提供业界最低的0.4V运行电压（PS：作为对比，TSMC的28nm HP工艺运行电压是0.85-0.9V，而集成电路的动态功耗跟电压的平方成正比），因此功耗非常低。此外，他们的22FDX工艺核心面积比28nm工艺减少20%，光罩减少10%，比FinFET工艺更可以减少50%的光刻层。

此外，根据不同的需求，GF会提供不同的22FDX工艺，主要有22FD-ULP、22FD-UHP、22FD-ULL、22FD-UFA、22FD-RFA等等，，其中ULP工艺电压0.4V，比28nm工艺节能70%，适用于从超低功耗移动芯片到RF射频等不同电路制造。

至于工艺实际量产时间，GF表示2016年下半年22nm FD-SOI工艺会试产，规模量产时间预计要到2017年下半年。我们要知道的是，2017年Intel、三星及TSMC可能都会推出10nm FinFET工艺了。