三星新近推出的Galaxy S6以及S6 Edge均采用了基于UFS 2.0技术的存储芯片，采用命令队列（Command Queue）技术，直接通过串行接口加快命令执行速度。

其随机读写速度达到了惊人的19000 IOPS，是常用的eMMC 5.0嵌入式内存（7000 IOPS）的2.7倍，普通高速内存卡（1500 IOPS）的12倍。这对于手机响应速度的提升作用十分明显。

同为内存大厂的东芝，现在也推出了全新的eMMC 5.1规格闪存。也支持命令行序列，能够大幅度提升闪存的性能表现，另外还支持安全写保护功能，以提升安全性。值得一提的是，虽然提升显著，但eMMC 5.1依然落后UFS技术，随机读写性能在11000-13000 IOPS左右。

东芝这次推出了四款eMMC 5.1产品，容量分别为16GB、32GB、64GB和128GB，封装尺寸为11.5*13mm，厚度则根据容量从0.8mm到1.2mm不等。今年第二季度将正式量产，也许不久的将来我们就将在智能手机上大量见到该产品的身影。