IT之家讯 1月15日消息,今年多款旗舰设备预计都会搭载高通810,不过近期却有消息称高通810存在过热问题,面临着推迟的状况。许是担心高通810易出现过热问题,消息称,三星Galaxy S6会放弃高通810。
周四最新消息称,三星会使用自己的Exynos芯片替代高通810,该芯片采用14纳米工艺生产。
消息人士称,起初80%到90%的三星Galaxy S6会搭载Exynos芯片,余下10%的三星Galaxy S6则会使用高通810。要是高通810过热问题解决,三星会提升搭载该处理器的Galaxy S6的比例。
高通810由TSMC量产,采用20纳米工艺。TSMC去年7月份开始使用16nm FinFET工艺。由于三星想在Galaxy S6中使用Exynos,三星打算本季度开始使用14纳米FinFET技术。
三星Galaxy S6预计会在今年3月的MWC2015上发布,消息称,Galaxy S6会有两个版本:一版采用一体化金属设计,一版采用曲面显示屏。(via:Phonearena)
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本文来源:不详 作者:佚名