海力士在声明中称，通过使用一种名为TSV（硅通孔技术）的新技术，海力士成功地在一个芯片封装中堆叠了8个2GB DDR3 DRAM内存芯片。TSV技术与以前的技术相比具有速度更快和耗电量更少的优势。

海力士称，这个成就标志着全球第一个在一个芯片封装中集成16GB内存。制作称内存模块之后，一个内存模块的最大容量可达64GB，可广泛应用以满足服务器和其它产品对大容量内存的需求。

海力士副总裁Hong Sung-joo在声明中称，使用TSV技术的大容量内存生产技术将在2、3年内成为内存行业的核心部分。 
 

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