优化设置：
　　目前在新型主板的BIOS中专门有DDR内存的优化设置选项，正确设置这些优化参数，可以达到超频和运行稳定的目的。如在采用Phoenix BIOS的主板中可尝试手动将内存频率对系统外频的比值设定为120％，为了增加稳定性和超频的成功率，还可在“DDR Reference Voltage”的项目里，适当地提高0.1V或0.2V的DDR内存电压。

　　而采用Award BIOS的主板，如要让DDR266内存超频到DDR333使用，可在BIOS的“Frequence Voltage Control”里手动选择选择“3∶4”的频率比值。同样为保证稳定性和超频成功，还可在“Add Voltage”选项里手动调节内存电压。

　　内存的逻辑“Bank”与物理“Bank”：
　　内存数据是以“位”为单位写入一个存储矩阵列中，每个阵列单元被称作CELL。因此，只要指定行列参数，便可准确定位到某一个CELL，这就是内存芯片寻址的基本原理，而这个阵列就称为内存芯片的逻辑“Bank”。主板上每个内存插槽被分成两段，就是说有两个“Bank”。以SDRAM为例，CPU到DIMM槽的接口位宽是64bit，这样CPU一次会向内存发送或读取64bit的数据，那么这样—个64bit的数据集合，便被称为一个物理“Bank”。