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　　其中，一般说来，通过使用较大的电感可以减小电感的铁损和铜损，但是这样会增加成本和体积。所以在设计时要根据成本、尺寸、性能来做最后的取舍。

　　输出电容选择

　　输出电容一般通过它的ESR和电容值来选择。一般说来，它的ESR必须足够的小，以保证在小的负载变化以及输出纹波变化期间，阻抗电压的变化不超过输出电压的精度限制。

　　输出电容和电感对输出纹波的影响如下：

　　其中，D VOUT代表输出电压纹波峰峰值，IPP代表电感纹波电流峰峰值，输出电容值可由下面的关系式推导出：

　　其中，Fs＝开关频率，D＝工作周期，COUT＝输出电容值。

　　对于低电压、高功率、高速应用来说，最好采用低ESR的铝电解电容、OS-CON或者低ESR的钽电容。

　　输入电容选择

　　输入电容一般用来吸收在开关期间所引入的最大电流和电压纹波，输入电容纹波电流可通过下式计算：

在最坏情况以及工作周期为50％时，可以简化为IOUT/2。

输入电容的电压级别可由下式得到：

　　一般说来，当最后选择时推荐使用2:1的电压比降。

　　输入电容和输出电容可以采用同种类型，然而如果输入采用钽电容，那么要注意减小它们在浪涌电流的工作时间。

功率MOSFET选择

　　在同步开关解决方案中选择功率MOSFET时，其电流值以及总体热性能是两个最重要的指标。

　　作为近似的选择，选择功率MOSFET时一般根据它可提供的最大DC电流。

　　MOSFET的RDS(ON)和封装的热性能参数通常用来决定所选择的MOSFET在最坏情况下是否工作在可接受的节温范围内，这两个参数的资料可以从厂家得到。因为RDS(ON) 随着门驱动电压而变化，所以在应用中必须选择正确的值，例如对于5V的输入电压来说，应该使用4.5V的RDS(ON)。 MOSFET的最大节温可由下式计算出：

　　其中，TA(max)是最大环境工作温度，PMOSFET(max)是由于开关和传导损耗而产生的MOSFET最大功率耗散，RQJA是节在环境工作下的热阻抗。

RQJA与封装和布局有关，热封装参数可以从厂家得到，通过使用铜焊盘把MOSFET焊接到电路板上，热阻抗系数最多可降低50%。

MOSFET的最大功率耗散PMOSFET(max)等于MOSFET的功率耗散总和，上部MOSFET的功率耗散包括传导损耗和开关损耗。

功率MOSFET的传导损失是：

　　其中，PCH(max)和PCL(max)分别代表高频和低频开关时的传导损耗，D代表平均工作周期。如前所述，RDS(ON) (FET在开时的源漏电阻)是门驱动电压和输出电流的函数。 txwb.com

MOSFET的开关损耗一般比传导损耗小，但在高频开关MOSFET中就变得更加重要，因为

　　其中，VF是续流二极管电压降，tT是开关过渡时间，可由下式得到，

　　其中，CISS代表FET输入电容，IG代表开关控制器提供的门驱动电流。

在选择合适的情况下，MOSFET的功率损耗不应使整个解决方案效率的降低超过4%。

最后，控制电路IC的门电荷损耗取决于所使用的MOSFET,可以通过下面的公式计算出来：

　　其中，电荷(QGH和QGL)代表打开与关闭高频和低频开关时所需的电荷，其值可在相关数据表中查到。

肖特基二极管选择

　　在同步开关解决中，跨接在底部FET间的二极管推荐用肖特基二极管。在FET关闭的非重叠时间内，电流仍然存在，这样就会产生噪音和热量。如果没有肖特基二极管作为一个续流回路，那么流过的电流将会比FET中理想二极管中流过的少。使用肖特基二极管的功率损失也比较少，可通过下式计算出来：

　　其中TNOL代表开关期间的非重叠时间或者死区时间，VF代表肖特基二极管的前向电压。

环路补偿器件

　　这个器件主要用来补偿开关控制环路。不同的控制器有不同的补偿方案，但是总体上说，环路补偿被用来设定增益为-20db/dec。所以在Sipex的SP6120中，使用电压模式控制，在反馈回路中有一个跨导误差放大电路。