16GB和32GB容量的内存现在已经很常见了，只有64GB和128GB 非常罕见，不过这对于三星而言，似乎并不是难事。日前，全球最大半导体供应商之一的三星，正式宣布正在开始量产两个业界最先进内存模块，分别为8Gb (gigabit) DDR4内存芯片和32 GB (gigabyte) 的内存模块。从技术层面上讲，第二个产品基于第一个产品打造。

8Gb DDR4 DRAM基本上同等于1GB的储存空间，通过20nm的制造工艺打造，确保了体积将更小密度更高。原本三星的4Gb芯片最多能打造出 64GB 容量的内容模块，但此次三星还引入了3D TSV硅穿孔封装技术，使用新的8Gb DDR4 DRAM也可以生产出128GB的内存来。

三星表示，全新的20nm  8Gb DDR4内存兼具高性能、高密度和高能源效率的特性。不过，该内存芯片目前只针对企业客户打造，所以不久后我们会看到一些厂商将通过批量的方式下订单，用于打造自己的主板或者内存PCB板。

新32GB DDR4内存模块的传输速度达到2400Mbps，相比上一代 DDR3产品（1866Mpbs）性能上快 29%。虽然普通用户通常使用的是1600Mbps速度的DDR3内存，但在企业应用中很少看到速度低于1866Mpbs的内存。新的DDR4大幅降低了供电的需求，仅1.2v电压， 提速且更省电对于企业打造大型数据中心或云储存十分有利。

三星两个新产品目前都已经发售，价格只根据订单规模向企业客户提供。当然，三星也提供基于20nm的4Gb DDR3的PC内存以及同工艺的6Gb LPDDR3的移动设备内存。 不出意外的话，再过一段时间三星就会正式推出通过3D TSV硅穿孔技术打造出高达128GB容量的DDR4内存了。

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