此前，有关Haswell处理器的消息已经传的沸沸扬扬。据消息称Haswell处理器的核芯显卡不但有GT1、GT2、GT3三个档次，最上边还有个整合eDRAM缓存的GT3e。最早的说法称部分缓存是四级缓存，容量上也先说是128MB后来减到64MB。通过更细致、专业的分析，我们又发现了这点缓存的更多秘密。

　　其实在Ivy Bridge时代，Intel就考虑过整合一定量的DRAM作为缓存来提升GPU性能，但出于成本、发热量方面的考虑，Intel CEO欧德宁并不愿意这么做，而且这种设计可能只会有苹果会采纳。

　　到了Haswell，整合缓存终于实现了，搭配40个执行单元将组成Intel史上最强大的图形核心，号称可以媲美NVIDIA GeForce GT 650M，可惜只会用于高端笔记本，而不会出现在桌面上(成本)，超极本也不会有(发热量)。

　　在今年的日本京都超大规模集成电路研讨会上，Intel曾经发布过一篇论文“具备三栅极晶体管和MIMCAP集成缓存的22nm高性能嵌入式DRAM SoC技术”。据此分析，Haswell GT3e搭配了128MB eDRAM缓存，和处理器之间的通信总线位宽在达到了512-bit，带宽估计有64GB/s，达到了主流笔记本显卡的水平。

　　之所以用eDRAM而不用DDR3，主要是因为eDRAM更容易集成到Intel现有的工艺中，还有功耗、制造难度、成本等方面的考虑。

　　Intel 22nm工艺下，eDRAM每个单元的面积是0.029平方微米，存储密度大约是每平方毫米17.5Mb，128MB就接近60平方毫米，还得加上外部接口等模块，估计总面积70-80平方毫米(Haswell处理器本身约210-240平方毫米)。

　　如果你想购买具备GT3e的处理器，需要为这些缓存额外支付多达50美元，代价不菲，所以它注定了只会用在高端笔记本上。要知道，Core i7-4770K的代理商报价为327美元，如果配备GT3e的话就会升至377美元，估计很多人都无法接受。

　　顺便提一句，还有说法称，这些eDRAM其实还扮演着四级缓存的作用，不仅能服务GPU，还可以改进CPU性能，但还没有得到官方证实。