前不久，英特尔推出了全新的20nm MLC闪存式固态硬盘SSD 335。当时335系列是作为330系列的升级版被推出的，当时首发的容量仅为240GB一种型号，或许受到市场需求的影响，英特尔又新增加了180GB的新品。

　　在性能表现方面，英特尔335系列SSD和330系列没有什么区别，主控都是采用的SandForce 2281，持续读取速度500MB/s，持续写入速度450MB/s，4KB随机读取能力42000 IOPS，4KB随机写入能力52000 IOPS，平均故障间隔时间大于120万小时。。有所不同的是335系列采用了20nm工艺的NAND闪存颗粒，而330系列采用的还是25nm工艺的NAND闪存芯片，因此335系列的功耗相对于330系列来说要更低一点。

　　不过Intel的标称似乎有些保守，某些SandForce方案都号称随即速度最高可以达到90000 IOPS。SSD 335 180GB已经出货上市，目前售价约180美元，三年质保。

　　在335系列SSD产品上，Intel是第一次使用20nm工艺MLC NAND闪存颗粒，这种新工艺闪存来自Intel、美光的合资企业IM Flash Technologies，2011年4月份就已经宣布，当年12月开始出货。这种闪存的单dIE容量仍然是64Gb(8GB)，页面尺寸也停留在8KB，不过在业内首次使用了新的平面型单元架构，集成高K金属栅极堆栈，克服了标准的NAND闪存浮动栅极单元的工艺局限，并实现了和25nm工艺相同的性能、可靠性。

　　新闪存还支持ONFI 2.3。这个版本规范的最大变化就是引入了EZ-NAND协议，可将ECC错误校验从主控转移到单独的控制器上，也可以整合在闪存内，从而能够独立升级，但是Intel并未采纳这一技术。IMFT未来的16GB闪存颗粒将支持ONFI 3.0，主控与闪存间的带宽从200MB/s翻番到400MB/s。